MMFTN20 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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MMFTN20

Characteristics

Kennwerte

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung

VGS = VGS, ID = 1 mA

VGS(th)

0.4 V

–

1.8 V

Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand

VGS = 10 V, ID = 100 mA

VGS = 5 V, ID = 100 mA

VGS = 2.5 V, ID = 10 mA

RDS(on)

–

15 Ω

20 Ω

30 Ω

Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit

VDS = 10 V, ID = 100 mA

gfs

40 mS

–

Input Capacitance – Eingangskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Ciss

–

15 pF

Output Capacitance – Ausgangskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Coss

–

15 pF

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Crss

–

5 pF

Turn-On Time – Einschaltzeit

VGS = 0 ... 10 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA

t(on)

–

5 ns

Turn-Off Time – Ausschaltzeit

VGS = 10 ... 0 V, VDD = 20 V, ID = 100 mA

t(off)

–

10 ns

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 430 K/W 1)

< 500 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 [mm]

Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 [mm]

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

MMFTN20 Datasheet(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

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