MMFTN138 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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MMFTN138

Characteristics

Kennwerte

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom

VGS = ± 20 V

IGSS

–

± 100 nA

Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung

VGS = VDS, ID = 1 mA

VGS(th)

0.8 V

–

1.6 V

Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand

VGS = 10 V, ID = 220 mA

VGS = 4.5 V, ID = 220 mA

RDS(on)

–

3.5 Ω

6 Ω

Forward Transconductance – Übertragungssteilheit

VDS = 10 V, ID = 220 mA

gFS

0.12 S

–

Input Capacitance – Eingangskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz

Ciss

–

60 pF

–

Output Capacitance – Ausgangskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz

Coss

–

25 pF

–

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz

Crss

–

10 pF

–

Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung

VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

td(on)

–

8 ns

Turn-On Rise Time – Anstiegszeit

VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

–

12 ns

Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung

VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

td(off)

–

16 ns

Turn-Off Fall Time – Abfallzeit

VDD = 30 V, ID = 290 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

–

22 ns

Drain-Source Diode Forward Voltage – Drain-Source Diode Fluss-Spg.

IS = 440 mA

VSD

–

1.4 V

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 350 K/W 1)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

MMFTN138 Datasheet(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

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