MPSA56 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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MPSA56

Characteristics

Kennwerte

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)

- VCE = 1 V

- IC = 10 mA

- IC = 100 mA

hFE

100

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)

- IC = 100 mA

- IB = 10 mA

- VCEsat

–

0.25 V

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)

- IC = 100 mA

- VCE = 1 V

- VBE

–

1.2 V

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

- VCB = 80 V

E open

- ICBO

–

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom

- VEB = 4 V

C open

- IEBO

–

100 nA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- IC = 100 mA, - VCE = 1 V, f = 100 MHz

50 MHz

–

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 200 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

[%]

tot

120

100

[°C]

150

100

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

MPSA56 Datasheet(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

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