BA5986FM

光ディスク IC

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!使用上の注意

使用上の注意

使用上の注意

使用上の注意

(1) BA5986FM

では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。

チップ温度が、175

°C（Typ.）になると、出力電流がミュートされ、再びチップ温度が 150℃（Typ.）になると、

ドライバ部回路が立上がります。

(2)

ミュート端子電圧を 0.5V 以下に下げると、出力電流をミュートすることができます。

通常使用状態では、ミュート端子を 2.0V 以上にプルアップしてください。

(3)

バイアス端子（1pin）は、1.0V（Typ.）以下になるとミュートがかかります。

通常使用状態では 1.4V 以上にしてください。

(4)

サーマルシャットダウン、ミュート ON、及び、バイアス端子電圧の低下で、ミュートがかかりますが、そのいず

れの場合も、ドライバ部以外はミュートされません。

(5)

スタンバイ端子電圧をオープン、または、0.5V 以下に下げると、回路電流を減少することができます。

通常使用状態では、スタンバイ端子を 2.0V 以上にプルアップしてください。

(6)

供給電源間には、この IC の根元にパスコン（0.1

µF 程度）を付けてください。

(7)

放熱フィンは、パッケージ内部で GND につながっていますが、外部の GND とつないでください。

(8)

応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用に当たっては更に特性のご確認を十分に願います。外付け

回路定数等を変更してご使用になるときは、静特性のみならず過渡特性も含め外付け部品、及び、当社 IC のばらつ

また、特許権に関しましては当社では十分な確認はできておりませんのでご了承ください。

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!電気的特性曲線

電気的特性曲線

電気的特性曲線

電気的特性曲線

1

0

2

3

25

50

75

100

125

150

175

AMBIENT TEMPERATURE：Ta（℃)

Fig.3 熱軽減曲線

0

5

10

15

510

15

Fig.4 前段OP-AMP飽和電圧特性

BA5986FM（Ta＝25℃）

−1.5

−5

−4

−3

−2

−1

0

3

2

1

5

4

−1

−0.5

0

0.5

1

1.5

16Ω

12Ω

8Ω

Fig.5 ch1，2入出力特性

4Ω

OP-AMP…BUFFER

BIAS＝2.5V

10

5

0

−5

−10

−1

1

0

8Ω

Fig.6 ch3，4入出力特性

OP-AMP…BUFFER

BIAS＝2.5V

16Ω

12Ω

2

 1

0

3

4

5

0.5

1.0

SOURCE

SINK

Fig.7 ch1，2出力負荷変動

5

0

10

0.5

1.0

SOURSE

SINK

Fig.8 ch3，4出力負荷変動