BC556 ... BC559

BC556 ... BC559

General Purpose PNP Transistors

Universal-PNP-Transistoren

= -100 mA

Version 2018-02-01

TO-92 (10D3)

(1)

(2)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

(1) Taped in ammo pack

(Raster 2.54)

(2) On request: in bulk

(Raster 1.27, suffix “BK”)

4000

5000

(1) Gegurtet in Ammo-Pack

(Raster 2.54)

(2) Auf Anfrage: Schüttgut

(Raster 1.27, Suffix “BK”)

Weight approx.

0.18 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

260°C/10s

Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Current gain groups

Stromverstärkungsgruppen

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BC556A

BC557A

BC558A

BC559A

BC556B

BC557B

BC558B

BC559B

BC556C

BC557C

BC558C

BC559C

BC546 ... BC549

Maximum ratings 2)

BC556

BC557

BC558/559

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung

E-B short

80 V

50 V

30 V

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

65 V

45 V

30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

E open

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom

DC

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2

3

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

2 x 2.54

C B E

2 x 1.27

C B E

Pb

RoHS