PK(PD,PE,KK)90HB

;;

２

１０

１

５

２

１０

０

１０

−１

２

５

５

１０

１

１０

２

２

５

２

１０

３

２

５

Peak Forward Gate Voltage（10V）

Pe

ak G

ate

Po

we

r（1

0W

）

Ave

ra

ge G

ate

P

ow

er（3

W

）

125℃

25℃

−30℃

Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit（0.25V）

Gate Characteristics

Gate Current（mA）

５

２

２

５

５

１０

２

１．

０

１．

５

２．

０

１０

１

Tj＝125℃

On-State Voltage max

On-State Voltage（V）

: Conduction Angle

360

。

2

５０

１５０

１００

２００

０

２０

６０

４０

１００ １２０ １４０ １６０ １８０ ２００

８０

Per one element

D.C.

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

Average On-State Current Vs Power Dissipation

（Single phase half wave）

Average On-State Current（A）

１４０

１２０

１００

８０

６０

４０

２０

０

４０

２０

１２０ １４０ １６０ １８０ ２００

１００

８０

６０

Per one element

: Conduction Angle

360

。

2

D.C.

θ＝180゜

θ＝120゜

θ＝90゜

θ＝60゜

θ＝30゜

Average On-State Current Vs Maximum Allowable

Case Temperature（Single phase half wave）

Average On-State Current（A）

１

２

５

１０

２０

５０

１００

５００

１５００

１０００

２０００

０

60Hz

50Hz

Ｔ

ｊ=２５℃ start

Per one element

Surge On-State Current Rating

（Non-Repetitive）

Time（cycles）

０．

４

０．

３

０．

１

０．

２

０

１０

-３

２

５

１０

-２

２

２

５

５

１０

-１

２

５

１０

０

１０

０

１０

１

２

５

Per one element

Junction to case

Transient Thermal Impedance

Time

９０

１００

１１０

１２０

１２５

５０

０

２５ ５０ ７５ １００

０

１２５

７５０

６００

３００

１５０

4５０

１００ １５０ ２００ ２５０ ３００

Rth:0.8℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.3℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

W3

B6

B2

W1

Conduction Angle

180゜

Output Current

W１；Bidirectional connection

Output Current（A）

Ambient Temperature（℃）

Id（Ar.m.s.）

０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５

１００

１１０

１２０

１２５

１００

１１０

１２０

１２５

０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５

7５０

６００

３００

１５０

4５０

Rth:0.8℃/W

Rth:0.6℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

Rth:0.8℃/W

Rth:0.6℃/W

Rth:0.4℃/W

Rth:0.2℃/W

Rth:0.1℃/W

B２；Two Pluse bridge connection

Ambient Temperature（℃） Ambient Temperature（℃）

B６；Six pulse bridge connection

Ｗ３；Three phase

bidiretional connection

Id（Aav.）

Id（Aav.）

Id（Ar.m.s.）