BAS40_18 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06

Characteristics

Kennwerte

Forward voltage

Durchlass-Spannung

Tj = 25°C

IF = 1 mA

IF = 40 mA

< 380 mV

< 1000 mV

Leakage current

Sperrstrom

Tj = 25°C

VR = 30 V

< 200 nA 1)

Breakdown voltage

Abbruch-Spannung

Tj = 25°C

IR = 10 µA

VBR

> 40 V 1)

Junction capacitance

Sperrschichtkapazität

VR = 0 V, f = 1 MHz

< 5 pF

Reverse recovery time

Sperrverzug

IF = 10 mA über/through

IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA

trr

< 5 ns

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 400 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

[%]

tot

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )

120

100

150

100

[°C]

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

[V] 1.4

1.0

0.8

0.6

0.4

[A]

10-4

10-3

10-2

10-1

T = 25°C

BAS40 Datasheet(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

BAS40 Datasheet(HTML) 2 Page - Diotec Semiconductor

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