TP4221A datasheet(6/8 Pages) TPOWER

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TP4221A/TP4221B/TP4221C

移动电源单芯片解决方案

Ver1.4

Shenzhen TPOWER Semiconductor

放电指示

放电时，LED1～LED5 根据电池电压指示当前电量，当

电池电压低于 3.1V 时，LED1 会以 1HZ 闪烁进行低电提

示。

手电照明输出

LIT 端可以驱动 LED 灯用于手电筒照明,最大驱动电流为

100mA ,SWT 是手电照明使能端,如果长按 S1 键 1.2S,

手电筒打开，再次长按 S1 键 1.2S 手电筒输出关闭。

元件选择

1、输出电容 C2/C5 选择质量较好的低 ESR 的贴片电容,

否则会影响输出纹波，若不加 C5，C2 需相应增加。

2、输出电感 L1 的饱和电流需大于 3A，否则因电感饱和

可能会导致芯片工作不正常。

3、二极管 D1 选择低压大电流的肖特基二极管，建议使

用 SS34。

4、电阻 R11 为可选，R11 主要是减小充电时芯片所承

受的功耗降低芯片温度，这里需要根据 R11 的实际功

耗选择封装尺寸；

5、SW 到 GND 的 10nF 电容 C4 不能去掉，SW 为开关

切换脚，切换时会有一个超过 10V 的尖峰，所以 C4 的

耐压需大于 16V，C4 尽量靠近 IC。

6、电阻 R6 对封装无要求，但是 R6 不能省略。

保护功能

TP4221X 集成了过充保护、过放保护、充电温度补偿、

过温保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保

护等多重保护机制，另外可以在 VDD 与地之间加一个稳

压管 ZD 以避免 VDD 输入电源纹波太高。

PCB 设计参考

1、5V 输出端的 USB 外壳不能接 GND，需浮空；

2、IC 下面敷铜散热，散热面积尽量大且散热的地方留一

些通孔增强散热；

3、AGND、PGND1、PGND2 直接打到 IC 下面的散热

敷铜上；

4、PGND1 和 PGND2 为大电流地，BAT 与地的电容 C3

靠近 IC 的 BAT 和各 GND 管脚，BAT+和 BAT-需先经过

BAT 电容再到 IC，各 GND 走线要尽量粗，空余的地方

全部走 GND；

5、典型应用图中红色标记的两条路径为大电流路径，走

线要短且粗，尽量不要过过孔；

6、为避免 VDD 输入电源纹波太高而将芯片损坏，可以

在 VDD 与地之间加一个稳压管；

7、

SW 到 GND 的电容 C4 靠近 SW 和输入电容 C3 的地。

PCB 关键走线参考

注: 红色为正面,蓝色为反面。PCB 关键走线参考只是针

对关键元件及走线的一个参考示意,还需结合实际的 PCB

要求。

TP4221A Datasheet(PDF) 6 Page - Shenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd.

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