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TP5400 Datasheet(PDF) 4 Page - Billiton Ltd.

Part # TP5400
Description  1 A lithium battery charging and 5 V / 1 liter control chip
PDF  9 Pages
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Manufacturer  ASIC [Billiton Ltd.]
Direct Link  http://www.tp-asic.com/
Logo ASIC - Billiton Ltd.

TP5400 Datasheet(HTML) 4 Page - Billiton Ltd.

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background image
南京拓品微电子有限公司
TP5400
4
电特性
凡表注●表示该指标适合整个工作温度范围，否则仅指 T
A=25℃，VCC=5V 除非特别注明。
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值
单位
VCC
输入电源电压
●
4.0
5
9.0
V
ICC
输入电源电流
充电模式，
RPROG=10K
待机模式（充电终止）
停机模式（
RPROG 未连接，
VCC<VBAT，或 VCC<VUV）
升压启动
●
●
●
150
40
40
40
0
500
100
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
VFLOAL
稳定输出（浮充）电压
0℃≤TA≤85℃，IBAT=40mA
4．158
4．2
4．242
V
IBAT
BAT 引脚电流
(除说明外 Vbat=4.0v)
RPROG=1.5K，充电模式
RPROG=1.1K，充电模式
升压无负载，
VBAT=3.8V
●
●
●
700
950
740
1000
－
10
800
1050
－
100
mA
mA
μ
A
ITRIKL
涓流充电电流
VBAT<VTRIKL,RPROG=1.5K
●
150
200
250
mA
VTRIKL
涓流充电门限电压
RPROG=1.5K,VBAT 上升
2.8
2.9
3.0
V
VUV
VCC 欠压闭锁门限
从
VCC 低至高
●
3.4
3.6
3.8
V
ITERM
C/5 终止电流门限
RPROG=1.5K
●
150
200
250
mA
VPROG
PROG 引脚电压
RPROG=1.5K，充电模式
●
0.9
1.0
1.1
V
CHRG
V
CHRG 引脚输出低电压
CHRG
I
=5mA
0.3
0.6
V
STDBY
V
引脚输出低电平
STDBY
I
=5mA
0.3
0.6
V
Δ
VRECHRG
再充电电池门限电压
VFLOAT-VRECHRG
100
150
200
mV
TLIM
限定温度模式中的结温
120
℃
充电
RON
充电
MOS 管“导通”电
阻（在
VCC 与 BAT 之间）
450
mΩ
tss
软启动时间
IBAT=0 至 IBAT=1200V/RPROG
20
us
tTERM
终止比较器滤波时间
IBAT 降至 ICHG/5 以下
0.8
1.8
4
ms
VOUT
升压输出
5V
负载电阻
RL=1k
4.875
5
5.125
V
VBatLOW
电池欠压保护
Vbat 从 3.6V 下降
●
2.9
3
3.1
V
VBatHigh
电池欠压保护解锁
Vbat 从 2.7V 上升
●
3.2
3.3
3.4
V
FOSC
振荡频率
300
400
500
KHZ
η升压
升压效率
VBAT=3.8V IOUT=500mA
90
％
η升压
升压效率
VBAT=3.8V IOUT=1000mA
88
％
Dty
最大占空比
75
％
升压
RON
升压
NMOS 管内阻
VLX=0.4V
120
mΩ
ILxleak
升压
NMOS 管漏电流
VLX=6V
1
uA
Ilmt_nmos
升压开关管限流
4
4.5
A



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