TP4351B datasheet(5/7 Pages) TPOWER

5 / 7 page

TP4351B

1A 同步移动电源方案

Ver2.1

Shenzhen TPOWER Semiconductor

深圳市天源中芯半导体有限公司

应用说明

恒温模式

TP4351B 内部集成了温度反馈环路，工作时，如果芯片

内部的温度升高到 110℃(表面 70℃左右)，充电或放电电

流会随着芯片的温度升高而降低，从而减小系统功耗，

降低温升，由于温度反馈控制，IC 会进入恒温模式而不

用担心损坏 IC 或者过高温度时强行关闭 IC。

充电电流设定

充电电流可以通过设定 ISET 引脚的电阻来设定，最大可

设定充电电流为 1A，电流设定关系如下式:

ISET

CHRG

1000 



充电模式

如果充电之前锂离子电池电压低于 2.9V，为了保护电池，

TP4351B 工作在涓流充电模式，此时充电电流为正常设

定电流的 1/10；当电池电压达到 2.9V 以后，TP4351B

进入恒流充电模式，以设定的电流给电池充电；当电池

电压达到 4.2V 后，TP4351B 工作在恒压充电模式，此

时输出电压恒定，充电电流逐渐减小，当充电电流减小

为正常设定电流的 1/10 时，充电过程结束，充电电流降

为零。

负载检测与低功耗智能待机

负载插入时 TP4351B 可以自动检测到负载并开启升压电

路工作。当负载拔掉，经过 16S 延时，升压电路关闭，

IC 进入低电流待机模式，待机电流减小到 25uA 以下。

放电指示

放电时，LED1～LED4 根据电池电压指示当前电量，当

电池电压低于 3.0V 时，LED1 会以 2HZ 频率快闪进行低

电提示。

手电照明输出

LIT 端可以驱动 LED 灯用于手电筒照明,最大驱动电流为

100mA , 可以给 LED 串联电阻来减小指示手电灯的电

流，SWT 是手电照明使能端,如果长按 S1 键 1.5S,手电

筒打开，再次长按 S1 键 1.5S 手电筒输出关闭。

电池低压保护

启动时，当 BAT 电压大于 3.1V 时,升压电路开始工作，

工作过程中如果电池电压低于 3.0V，则 LED1 会以 2HZ

频率快闪提醒电量较低，当电池电压低于 2.85V，则放电

输出关闭，TP4351B 进入低电流待机模式，待机电流小

于 25uA。

保护功能

TP4351B 集成了过充保护、过放保护、充电温度补偿、

过温保护、输出过压保护、输出重载保护、输出短路保

护等多重保护机制，也可以额外再加一颗 DW01 对系统

进行双重保护。

元件选择

1、输出电容 C2/C3 选择质量较好的低 ESR 的贴片电容,

否则会影响输出纹波；

2、电感 L1 的饱和电流需大于 3A，否则因电感饱和可能

会导致芯片工作不正常；

3、电阻 R2 建议不要省略，可以抑制上电尖峰；

4、R5 和 C4 为必须元件，不能省。

PCB 设计参考

Fig1 和 Fig2 是 PCB layout 参考走线；

1、R5 和 C4 需要第一优先级靠近芯片；

2、输出 USB 外壳不能接地而需浮空；

3、IC 下面敷铜接 GND，AGND、PGND 直接打到 IC 下

面的散热敷铜上,地线铺开面积要尽量大，其它不重要的

线都可以绕开以满足地线需要；

4、条件允许可以在芯片 BAT 脚和电感旁边各放置一个

10uF 的电容；有成本考虑的话建议电感旁边放置 10uF

而靠近芯片 BAT 脚放置 1uF 电容；如果只放一个 BAT

电容，必须保证电容位置既要靠近芯片又要靠近电感；

无论放几个电容，一定包保证电容的地线尽量接在大面

积地线上，不要经过较小的地线再到芯片和大面积地；

5、输出电容 C2A/C2B 尽量靠近芯片，其地线尽量接在

大面积地线上，不要经过较小的地线再到芯片和大面积

地；

6、电感需靠近 BAT 电容 C5，电感和电容 C5 以及芯片

尽量在同一层而不要过过孔，电感到 SW 的走线尽量短

而粗；

7、应用图中红色标记的两条路径为大电流路径，走线要

短而粗，尽量不要过过孔。

TP4351B Datasheet(PDF) 5 Page - Shenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd.

TP4351B Datasheet(HTML) 5 Page - Shenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd.

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7

Datasheet Download

Link URL