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CH412 中文手册

２

4、型号 CH412B 已经停产，请换用 CH412K，多出的两个通道可以悬空或并联（低速时）

。

4、引脚

CH412K

引脚号

CH412Z

引脚号

引脚名称

类型

引脚说明

GND

电源

公共接地端，必须直接连接到全局地

无

VCC

电源

正电源端，必须靠近引脚对 GND 连接 0.1μF 电容，

用于 USB 信号保护时通常为 3.3V（或者 5V）

，

用于其它信号须同被保护芯片的电源电压（2V～5V）

1,3,4,6

1,3,4,5 IO1～IO4

信号

ESD 保护通道，与被保护芯片的信号引脚并联

5、应用说明

CH412 设计用来与被保护芯片内置的 ESD 保护一起工作。在电气连接方面，CH412 的 ESD 保护通

道必须与被保护芯片的 I/O 引脚以低阻抗并联；在物理布局方面，可以将被保护芯片放置于 CH412 之

后，使得来自外部的 ESD 冲击首先经过 CH412，以保护后面的芯片，但 CH412 与外部接口的端口连接

器之间的连接线不宜过短，较长的连接线可以适当缓和来自外部的 ESD 冲击。

在 PCB 电路板设计方面，CH412 的 GND 引脚必须以尽可能低的交直流阻抗连接到全局地（宽线条、

多过孔 VIA、全铺铜）

；对于 CH412K，必须在尽可能靠近 VCC 引脚的地方放置一个 0.1μF 陶瓷旁路电

容，电容的另一端必须以尽可能低的阻抗与全局地连接。

对于 IEC 61000-4-2 规定的 HBM 人体模型的静电冲击，CH412 可以将 ESD 电流导引到 VCC 或 GND，

并将 ESD 冲击时的峰值电压幅度限制在±25V 以下；对于接触放电，峰值电压被限制在±65V；对于

气隙放电，峰值电压被限制在±100V。被保护的芯片必须能够承受上述峰值电压，部分芯片有可能会

意外复位。考虑到 ESD 冲击过程中的瞬时峰值电流在 40A 左右，该峰值电流经由长度约 0.5 英寸的

PCB 走线，将因为寄生电感而产生 400V 的压降，导致实际峰值电压超出预期。良好的布局和走线可

以降低地线和电源线以及受保护信号线上的寄生串联电感，降低 ESD 冲击过程中的峰值电压。

CH412K 具有 4 路 ESD 保护，可以用于保护 4 路高速信号或者 2 对高速差分信号，未用到的 ESD

保护通道可以悬空或者接地，对于中低速信号还可以两通道并联使用增强保护效果。

CH412Z 具有 4 路 ESD 保护，可以用于保护 4 路中低速信号或者两对中低速差分信号，未用到的

ESD 保护通道可以悬空或者接地。CH412Z 的寄生电容较大，不宜多通道并联。

6、参数

6.1. 绝对最大值（临界或者超过绝对最大值将可能导致芯片工作不正常甚至损坏）

名称

参数说明

最小值

最大值

单位

工作时的环境温度

-40

125

℃

储存时的环境温度

-55

150

℃

VCC

CH412K 电源电压（VCC 接电源，GND 接地）

-0.5

6.5

VIO

保护通道引脚上的静态连续电压

CH412K

-0.5

VCC+0.5

-0.5

6.5

CH412Z

-0.5

6.0

IMAX

保护通道内部二极管的静态连续电流

100

6.2. 电气参数（测试条件：TA=25℃，VCC=5V）

名称

参数说明

最小值

典型值

最大值

单位

CH412Z Datasheet(PDF) 2 Page - Nanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd.

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