TC4606B datasheet(2/9 Pages) FUMAN

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深圳市富满电子集团股份有限公司

SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.

TC4606B(文件编号：S&CIC1603)

双重增强型

MOSFET(N-P 沟道)

www.superchip.cn

第

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Version 1.0

电气特性（TA=25℃，除非另有说明）

二极管

VSD

二极管正向

电压

ISD=2A,VGS=0V

N-CH

0.8

1.2

ISD=-1A,VGS=0V

P-CH

-1.5

-1.0

动态

栅极电阻

VGS=0V,VDS=0V,F=1MHZ

N-CH

P-CH

CISS

输入电容

N-Channel

VGS=0V

VDS=25V

F=1MHZ

P-Channel

VGS=0V

VDS=-25V

F=1MHZ

N-CH

345

P-CH

560

COSS

输出电容

N-CH

P-CH

CrSS

反向传输电

容

N-CH

P-CH

td(on)

打开延时时

间

N-Channel

VDD=15V,RL=15Ω

N-CH

P-CH

符号

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

静态

BVDSS

漏极击穿电

压

VGS=0V,IDS=250uF

N-CH

VGS=0V,IDS=-250uF

P-CH

-30

IDSS

零栅极电压

漏极电流

VDS=24V,VGS=0V

N-CH

VDS=-24V,VGS=0V

P-CH

-1

VGS(TH)

栅极阈值电

压

VDS=VGS,IDS=250uA

N-CH

1.0

1.6

2.5

VDS=VGS,IDS=-250uA

P-CH

-1.0

-1.8

-2.5

IGSS

栅极漏电流

VGS=±20V,VDS=0V

N-CH

100

P-CH

100

RDS(ON)

漏源导通电

阻

VGS=4.5V,IDS=5A

N-CH

mΩ

VGS=-4.5V,IDS=-2A

P-CH

VGS=10V,IDS=7A

N-CH

VGS=-10V,IDS=-3A

P-CH

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