AW3208 datasheet(4/15 Pages) AWINIC

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AW3208 产品手册

2016 年 5 月 V1.3.1

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电气特性

测试条件：TA=60℃，ACIN=5.0V，VBAT=3.8V（除非特别说明）。

参数

条件

最小

典型

最大

单位

ACIN

IACIN

静态电流

IOUT=0A，ICHRIN=0A

0.9

1.1

1.4

VPOR

上电复位电压

ACIN 从 0V 升高至 3V

2.56

3.0

Vhys(POR)

上电复位迟滞电压

ACIN 从 3V 降低至 0V

380

TBLK

上电复位延时

输入与输出之间导通电阻

ACIN 与 OUT 之间导通电阻

IOUT=0.7A，ACIN=5.0V，

GATDRV=0V

0.6

Ω

CHRIN 与 OUT 之间导通电

阻

IOUT=0.7A，ACIN=5.0V，

GATDRV=0V

0.3

Ω

输入过压保护

VOUT(REG)

降压 LDO 模式输出电压

ACIN=6.5V

5.25

5.5

VLDO_MODE

切换至 LDO 模式的输入电

压

ACIN 从 5V 升高至 7V

6.0

6.3

6.6

Vhys(LDO_MODE)

模式切换迟滞电压

ACIN 从 7V 降低至 5V

640

VOVP

输入过压保护

ACIN 上升

10.5

Vhys(OVP)

OVP 迟滞电压

470

TDGL(OVP)

OVP 去毛刺时间

100

TREC(OVP)

OVP 撤消延时

3.5

输入限流保护

IOCP

限流电流

1.2

电池过压保护

VBOVP

电池过压保护

VBAT 电压上升

4.4

Vhys(BOVP)

电池过压保护迟滞

230

260

290

IVBAT

VBAT 引脚漏电流

VBAT=4.2V

内置 P-MOSFET

VCHRIN_VOUT 锁定阈值

CHRIN 由低升高，

P-MOSFET 受 GATDRV 控

制

160

CHRIN 由高变低，

P-MOSFET 关闭

IOFF

P-MOSFET 关断电流

ACIN=5V，

CHRIN=GATDRV，OUT=0V

μA

IGATDRV

GATDRV 引脚漏电流

μA

ILKG

OUT 引脚反灌电流

ACIN=0V，OUT=4.2V，

GATDRV=0V

μA

P-MOSFET 输入电容

100

AW3208 Datasheet(PDF) 4 Page - Shanghai awinic technology co.,ltd

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