HM2520 datasheet(4/12 Pages) HMSEMI

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电特性参数表

(TA=25℃, VCC=3V, VDD =6V 除非另有规定)

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源参数

VCC 待机电流

IVCCST

INA=INB= L;VCC=7V;

VDD=10V;输出悬空

VDD 待机电流

IVDDST

VCC 静态电源电流

IVCC

INA=H OR INB=H;输出悬空

250

VDD 静态电源电流

IVDD

INA=H OR INB=H;输出悬空

100

输入逻辑电平

输入高电平

VINH

0.6*VCC

输入低电平

VINL

0.6

输入电平迟滞

VHYS

0.4

输入高电平电流

IINH

VINH=3V,VCC=3V

215

输入下拉电阻

RIN

VINH=3V,VCC=3V

KΩ

功率管导通内阻

HM2520 导通内阻

RON

IO=±200mA VDD=6.5V TA=25℃

0.25

IO=±1800mA VDD=6.5V TA=25℃

0.29

保护功能参数

热关断温度点

TSD

150

热关断温度迟滞

TSDH

限流保护电路

限流保护点

IcL

VCC=3V,VM=6.5V，芯片结温 27℃

VCC=3V,VM=6.5V，芯片结温 140℃

功率 MOSFET 体二极管导通特性

PMOS 体二极管

VPD

I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V

0.81

NMOS 体二极管

VND

I=-400mA, VCC=VDD=3V,INA=INB=0V

0.71

时间参数（VCC=VDD=5V）

输出上升时间

INB=GND,INA 输入 20KHZ 的 PWM 信

号。OUTA 接 100 欧姆负载到 GND

310

输出下降时间

输入 A 对输出 A 同向信

号延迟

trr

INB=GND,INA 输入 20KHZ 的 PWM 信

号。OUTA 接 100 欧姆负载到 GND

1.27

tff

输入 A 对输出 B 反向信

号延迟

trf

INB=5V,INA 输入 20KHZ 的 PWM 信

号。OUTB 接 100 欧姆负载到 GND

157

tfr

800

备注：1、输入 B 对输出 B 同向信号延迟与上表输入 A 对输出 A 同向信号延迟相同。

2、输入 B 对输出 A 反向信号延迟与上表输入 A 对输出 B 反向信号延迟相同。

HM2520 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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