HM4010 datasheet(4/5 Pages) HMSEMI

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7. 应用电路图

10K

C1 10U

10U

103

HM4010

VDD

INR1

INR2

INC

GND

15UH

20K

100P

4.7

VCC

1、 C3 电容采用耐压 100V 以上的 NPO 电容或者涤纶电容，薄膜电容。

2、 L1 是发射线圈，尽量采用多股线绕制以便减小谐振内阻，根据接收端线圈尺寸去绕制对应尺寸

和形状

3、 C1 电容尽量靠近芯片，到芯片 VIN 和 AGND 的走线尽量短和粗

4、 C3 电容两个焊盘和 L1 线圈两焊盘尽量靠近，走线尽量短和粗

5、 C3 电容一焊盘跟 L1 线圈相连那端，尽量靠近 L1 焊盘，走线尽量短和粗，C3 另外一焊盘尽量

靠近电源进入接地那个焊盘，走线也尽量短和粗

6、 R1,R2,C4，这三个器件尽量靠近芯片

7、 R2 和 C4 是调整 SW 端口的频率用，公式是：F=1/(2.7*R2*C4)，因为电容的误差比较大，而

电阻的误差比较小，常用的有

1%精度的，所以在应用中要调整频率时，例如固定 C4=100P（用

NOP 材质），而去调整 R2 的阻值来调整频率。

8、芯片的 SW 输出最高频率约 200K，如果 C4=100P，那么电阻 R2 的阻值不能小于 18K。

9、 R3 的左右是防止在芯片启动时把电源电压拉的太低，是做为限流作用。

HM4010

无线充电发射芯片

HM4010 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd