HM5805 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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八、功能描述

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN TYP MAX UNITS

待机功耗

VBAT =4.2V

RON-IRB

Input reverse blocking switch Rdson

mΩ

RON-TS

Top switch Rdson

mΩ

RON-BS

Bottom switch Rdson

mΩ

◆

充电管理

1. 充电状态

芯片

VIN 电压超过 VUVLO-RS 且 VIN 超过 VBAT 电压 VREV 后，芯片进入充电状态。

2. 充电功能

芯片采用同步整流开关方式对电池进行涓流、恒流、恒压三段式充电。当电池电压低于

VTRKL 时进

行涓流充电；当电池电压高于

VTRKL 时进行恒流充电；当电池电压接近 VBAT-REG 时进行恒压充电，此时

充电电流开始逐渐减小，当电流减小到

IFULL 时，判断电池已经充饱，芯片终止充电，待电池电压降低

到

VRECHG 后进行再次充电(Recharge)。

3. 充电电流设定(ICHG 功能)

充电电流由输入

VIN 端的限流值 IVIN-CHG 决定，当输入供电不足或芯片温度过高时，IVIN-CHG 会下

降。

4. 充饱电压设定(BDIV 功能)

HM5805 的子型号可以设定从

4.20V~4.40V 不同的充饱电压值。详见可选功能

5. 充电软启动功能

当电池直接进入恒流充电时，芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值，避免了瞬间大电流冲击引起

的各种问题。

6. 加速充饱功能

在

VBAT 接近 VBAT-REG 时芯片会略微提高 VBAT-REG 的电压，减少恒压充电时间。

7. 输入过压保护

输入电压过高，超过

VIN-OVP 时，芯片会控制关闭 USB 输出，防止接在 USB 的便携设备因为过压而

损坏，输入电压正常后状态解除。

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

ICC-CHG

芯片工作电流

VIN =5V 充电状态

4.0

VUVLO-RS

VUVLO-DN

电源欠压门槛

VIN 从低到高

VIN 从高到低

4.2

3.5

VREV

输入防反门槛

VIN-VBAT

VIN Rising

VIN Falling

150

VTRKL

涓流转恒流

迟滞电压

VBAT 从低到高

VBAT 从高到低

3.00

0.30

VBAT-REG

浮充门槛电压

4.16

4.20

4.24

IFULL

充电判饱电流

VIN=5.0V

300

VRECHG

复充门槛电压

VBAT rising

VBAT falling

4.05

4.00

移动电源管理

HM5805 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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