2SC5666

No.7352-1/6

特長

・低雑音である

：NF=1.3dB typ

（f=2GHz）

。

・しゃ断周波数が高い：fT=8.5GHz typ（VCE=1V）。

：fT=12.5GHz typ（VCE=3V）。

・低電圧動作。

・高利得である

：

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

コレクタ・ベース電圧

VCBO

9V

コレクタ・エミッタ電圧

VCEO

4V

エミッタ・ベース電圧

VEBO

2V

コレクタ電流

IC

40

mA

コレクタ損失

PC

100

mW

接合部温度

Tj

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

min

typ

max

unit

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB=5V, IE=0

1.0

nA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB=1V, IC=0

10

µA

直流電流増幅率

hFE

VCE=1V, IC=5mA

100

160

利得帯域幅積

fT1VCE=1V, IC=5mA

7.0

8.5

GHz

fT2VCE=3V, IC=20mA

10.5

12.5

GHz

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単体品名表示：NJ

No.

新

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

N7352

注文コード No. N7352

 D2502

D2502 TS IM ◎佐藤 TA-3754

NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ

UHF ∼ S バンド低雑音増幅 , 発振用

2SC5666

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

SANYO : SMCP

外形図 2106A

(unit : mm)

2

3

0.2

1.6

0.3

0.5

1

0.5

0.75

0.6

0~0.1

0.1

本製品は、高周波

プロセスを採用して

います。静電気等へ

の影響を受けやすく

なっていますので取

扱いにご注意下さい。