2SC3357NPN

TRANSISTOR

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

1.简述：

本芯片采用双极硅外延工艺制造，具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动

态范围，理想的电流线性；

主要应用于超高频微波、

VHF、UHF 和 CATV 等产品上的高频宽带低噪声放大

器；

集电极-发射极击穿电压：

封装形式：

SOT89，直流放大倍数对应本体印字：

Rank

RH

RF

RE

Range

100

80～160

125

Marking

RH

RF

RE

2.极限参数

参数名称

符号

额定值

单位

集电极-基极击穿电压

20

V

集电极-发射极击穿电压

12

V

发射极-基极击穿电压

3

V

集电极电流

200

mA

耗散功率

1200

mW

最高结温

150

℃

储存温度

-65～+150

℃

参数名称

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

集电极截止电流

-

-

1.0

μA

发射极截止电流

-

-

1.0

μA

直流电流放大系数

特征频率

-

6.5

-

GHz

-

1.1

-

dB

噪声系数

NF

-

1.8

3.0

dB

反馈电容

-

0.65

1.0

pF

插入功率增益

-

9

-

dB

SOT89

1

3

2

Emitter

Collector 2&4

Base

3

1

4

L 2SC3357

NPN

TRANSISTOR

80

RF

160

=15V

=300mA

15

V

300

mA

80

80

120

120

160