HM2451 datasheet(4/8 Pages) HMSEMI

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电参数

Vin=12V, Ven=2V, Ta=25°C, 特殊条件除外。

符号

参数

测试条件

最小

典型

最大

单位

Vfb

反馈电压

0.778 0.794 0.810 V

Rsw

开关导通电阻

Vbst-Vsw=5V

500

mΩ

Iswleak

开关漏电流

Ven=0V, Vsw=0V

0.1

Ilim

极限电流

Gcs

跨导

COMP to SENSE

A/V

Vin min

最小工作电压

4.2

Vin(UVLO)

欠压门限

3.3

4.2

Vin(UVLO)hys 欠压回差

0.8

Tss

软启动时间

FB 从 0 到 1.8V

0.5

msec

Fosc

震荡频率

1.4

1.8

2.2

MHz

Ton min

最小开关打开时间

100

Isd

关机电源电流

Ven<0.3V

Isq

静态电流

Vfb=0.9V，空载

200

Temp

热关机

150

°C

Venh

En 高电平

1.6

2.0

En hys

En 回差

0.6

En Vclamp

En 钳位电压

7.5

管脚功能

管脚号

名称

功能

BST

自举脚。内部浮动高边MOSFET驱动管的正电源极。在该脚与SW之间连

接一个旁路电容。

GND

接地脚。它的连接尽可能接近输出电容，避开高电流开关路径。

反馈。误差放大器的输入。一个连接输出和接地的外部电阻分压器与内

部+0.8V的参考比较以设置稳压电压。

使能输入。把该脚电压拉到低于指定的门限将关闭芯片。拉到高于指定

的门限使芯片工作。悬空芯片关闭。

VIN

电源输入。所有内部控制电路供电，包括开关管。需要接一去耦电容到

地以减少开关尖峰。

开关脚。这是高边开关输出。需要就近接一个低VF的肖特基二极管到地

以减少开关尖峰。

HM2451 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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