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HM4209 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM4209
Description  single-cell lithium battery charge management chip
PDF  14 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4209 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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- 4 -
五、电性参数----充电管理部分
凡表注●表示该指标适合整个工作温度范围，否则仅指TA=25℃，VCC=5V，除非特别注明。
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
VDD
输入电源电压
●
4.5
5
6.5
V
IDD
静态功耗
充电模式
●
150
500
μ
A
待机模式（充电终止）
●
100
300
μ
A
停机模式（
VCC<VBAT，
或
VCC<VUV）
●
3
8
μ
A
VFLOAL
稳定输出
（浮充）电压
0℃≤TA≤85℃
4.150
4.200
4.250
V
ITRIKL
涓流充电电流
VBAT<VTRIKL
●
40
60
100
mA
VTRIKL
涓 流 充 电 门 限
电压
VBAT 上升
2.5
2.9
3
V
●
80
100
120
mA
ITERM
终止电流门限
VLEDR
LEDR 引 脚 输
出低电压
ILEDR =5mA
0.3
0.6
V
VLEDG
LEDG 引脚输
出低电平
ILEDG =5mA
0.3
0.6
V
Δ
VRECHRG
再 充 电 电 池 门
限电压
VFLOAT-VRECHRG
100
150
200
mV
TLIM
限 定 温 度 模 式
中的结温
145
℃
RON
功率
FET“导
通”电阻
650
mΩ
（在
VCC 与
BAT 之间）
tss
软启动时间
IBAT=0
至
IBAT=600mA
20
μ
s
tRECHARGE
再 充 电 比 较 器
滤波时间
VBAT 高至低
0.8
1.8
4
ms
tTERM
终 止 比 较 器 滤
波时间
IBAT 降至 ICHG/10
以下
0.8
1.8
4
ms
六、工作条件
推荐工作范围
参数
符号
最小值
最大值
单位
充电器输入电压（VDD 和 GND 间电压）
VDD
4.3
5.5
V
电池输入电压（BAT 和 GND 间电压）
VM
-4.3
5.5
V
工作温度范围
TOPR
-40
85
℃
HM4209



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