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HM5521 Datasheet(PDF) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM5521
Description  Built-in high-precision voltage detection circuit
PDF  9 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5521 Datasheet(HTML) 1 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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1. 概述
HM5521，内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置 MOSFET，是用于单节锂离子/锂
聚合物可再充电电池的保护
IC。
本
IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
2. 特点
HM5521 具备如下特点：
（
1） 高精度电压检测电路
 过充电检测电压
4.30V
精度
±50mV
 过充电释放电压
4.15V
精度
±70mV
 过放电检测电压
2.45V
精度
±100mV
 过放电释放电压
3.00V
精度
±100mV
（
2） 各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容）
 过充电检测延迟时间
典型值
100ms
 过放电检测延迟时间
典型值
100ms
 放电过流检测延迟时间
典型值
20ms
（
3） 低耗电流
 工作模式
典型值
3.0μA ，最大值 6.0μA（VDD=3.5V）
 过放电模式
典型值
1.0μA ，最大值 1.5μA（VDD=2.0V）
（
4） 允许向 0V 电池充电。
（
5） 导通内阻常态 48mΩ, 3.0A 过流保护
（
6） 封装： SOT-23
应用
1 节锂离子可再充电电池组
1 节锂聚合物可再充电电池组
HM552


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