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CPH5813

No.7468-2/5

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

(1) [MOSFET 部]

min

typ

max

unit

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0

− 12

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS= − 12V, VGS=0

− 10

µA

ゲート・ソースもれ電流

IGSS

VGS= ± 8.0V, VDS=0

± 10

µA

ゲート・ソースしゃ断電圧

VGS(off)

VDS= − 6V, ID= − 1mA

− 0.3

− 1.0

順伝達アドミタンス

yfs

VDS= − 6V, ID= − 1A

2.0

2.9

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)1

ID= − 1A, VGS= − 4.5V

110

145

Ω

RDS(on)2

ID= − 0.5A, VGS= − 2.5V

160

225

Ω

RDS(on)3

ID= − 0.2A, VGS= − 1.8V

220

330

Ω

入力容量

Ciss

VDS= − 6V, f=1MHz

310

出力容量

Coss

VDS= − 6V, f=1MHz

帰還容量

Crss

VDS= − 6V, f=1MHz

ターンオン遅延時間

td(on)

指定回路において

立ち上がり時間

〃

ターンオフ遅延時間

td(off)

〃

下降時間

〃

総ゲート電荷量

4.6

ゲート・ソース電荷量

Qgs

VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 2.0A

0.7

ゲート・ドレイン電荷量

Qgd

1.3

ダイオード順電圧

VSD

IS= − 2.0A, VGS=0

− 0.89

− 1.5

(2) [SBD 部]

min

typ

max

unit

逆電圧

IR=1.5mA

順電圧

VF1IF=0.5A

0.27

0.32

VF2IF=1A

0.30

0.35

逆電流

VR=6V

600

µA

端子間容量

VR=10V, f=1MHz サイクル

逆回復時間

trr

IF=IR=100mA, 指定回路において

熱抵抗

Rth(j-a)

セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時

138

℃/W

スイッチングタイム測定回路図

trr 指定回路図

[MOSFET 部]

[SBD 部]

PW=10

µs

D.C.

≦1%

P.G

Ω

ID= --1.0A

RL=6.0Ω

VDD= --6V

VOUT

CPH5813(MOSFET

部)

VIN

--4.5V

VIN

Duty

≦10%

Ω

100

Ω

--5V

trr

µs

CPH5813 Datasheet(PDF) 2 Page - Sanyo Semicon Device

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