HM2103 datasheet(8/10 Pages) HMSEMI

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8. 应用设计

8.1 Vcc 端电源电压

在考虑有足够的驱动电压去驱动 N 沟道功率 MOS 管，推荐电源 Vcc 工作电压典型值为 12V-15V,内部逻

辑电路的电源和模拟电平转换电路的电源共用 Vcc 电源，内部的逻辑地和模拟地也连接到一起。

8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性

HM2103主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥图

腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上，低电平阀值为 1.0V 以下，要求逻辑信号的输出电

流小，可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到

的输入通道上。

高端上桥臂和低端下桥臂图腾柱式输出驱动器的最大灌入可达 1A 和最大输出电流可达 0.8A, 高端上桥

臂通道可以承受 100V 的电压，输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小，低端输出开通传导延时为

500nS、关断传导延时为 50nS,高端输出开通传导延时为 300nS、关断传导延时为 400nS。低端输出开通的上

升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS, 高端输出开通的上升时间为 400nS、关断的下降时间为 200nS。

输入信号和输出信号逻辑功能图如图 8-2：

图 8-2. 输入信号和输出信号逻辑功能图

HIN

LIN

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

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HM2103 Datasheet(PDF) 8 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd