HM2518 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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电特性参数表

(TA=25℃, VCC=3V, VDD =6V 除非另有规定)

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源参数

VCC 待机电流

IVCCST

INA=INB= L;VCC=7V;

VDD=10V;输出悬空

VDD 待机电流

IVDDST

VCC 静态电源电流

IVCC

INA=H OR INB=H;输出悬空

182

VDD 静态电源电流

IVDD

INA=H OR INB=H;输出悬空

输入逻辑电平

输入高电平

VINH

输入低电平

VINL

0.8

输入电平迟滞

VHYS

0.6

输入高电平电流

IINH

VINH=2.5V,VCC=3V

191

输入下拉电阻

RIN

VINH=3V,VCC=3V

KΩ

功率管导通内阻

HM2518导通内阻

RON

IO=±200mA VDD=6V TA=25℃

0.28

IO=±1800mA VDD=6.5V TA=25℃

0.38

保护功能参数

热关断温度点

TSD

150

℃

热关断温度迟滞

TSDH

功率 MOSFET 体二极管导通特性-

PMOS 体二极管

VPD

I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V

0.69

NMOS 体二极管

VND

I=-400mA, VCC=VDD=3V,INA=INB=0V

0.75

电机驱动时间参数

HM2518输出上升时间

VCC=5V, VDD =5V,INB=H,INA 输入脉冲

信号;

信号占空比为 50%,信号频率为 20KHz

负载电机内阻 1.3Ω,电机空转

250

HM2518输出下降时间

HM2518输出延迟时间

trf

HM2518输出延迟时间

tfr

220

HM2518

HM2518 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM2518 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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