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HM4062 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM4062
Description  5A dual-cell lithium battery charge management integrated circuit
PDF  11 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4062 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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background image
Rev 1.2
4
电气特性:
（
VCC=15V，TA=－40℃ 到 85℃，除非另有注明）
参数
符号
测试条件
最小
典型
最大
单位
输入电压范围
VCC
7.5
28
V
低电压锁存阈值
UVLO
4.2
6
7.3
V
芯片工作电流
IVCC
VBAT＞VREG
1
1.55
2.1
mA
调制电压
VREG
恒压充电模式
8.316
8.4
8.484
V
VBAT＞5.6V，VCSP－VBAT
190
200
210
电流检测
VCS
VBAT＜5.6V，VCSP－VBAT
18
30
42
mV
流入
BAT 管脚电流
IBAT
充电结束模式或睡眠模式
15
25
uA
涓流充电阈值
VPRE
BAT管脚电压上升
5.4
5.6
5.8
V
涓流充电阈值迟滞
HPRE
BAT管脚电压下降
0.2
V
再充电阈值
VRE
BAT管脚电压下降
8.0
V
过压阈值
Vov
电池电压上升
1.06
1.08
1.1
过压释放阈值
Vclr
电池电压下降
0.98
1
1.02
VREG
TEMP 管脚
上拉电流
Iup
41
50
65
uA
比较器高端阈值
Vthh
TEMP 管脚电压上升
1.57
1.61
1.65
V
比较器低端阈值
Vthl
TEMP 管脚电压下降
0.145
0.175
0.205
V
CHRG 管脚
CHRG管脚下拉电流
ICHRG
VCHRG=1V，充电模式
7
12
18
mA
CHRG管脚漏电流
ILK1
VCHRG=25V，充电结束模式
1
uA
DONE 管脚
管脚下拉电流
IDONE
VDONE=1V，充电结束模式
7
12
18
mA
管脚漏电流
ILK2
VDONE=25V，充电模式
1
uA
振荡器
频率
fosc
240
300
360
kHZ
最大占空比
Dmax
94
%
睡眠模式
VBAT=8V
0.06
0.1
0.14
VBAT=12V
0.1
0.14
0.18
睡眠模式阈值
(测量VCC－VBAT)
VSLP
V
CC falling
VBAT=18V
0.18
0.23
0.28
V
VBAT=8V
0.26
0.32
0.39
VBAT=12V
0.32
0.42
0.52
睡眠模式释放阈值
(测量VCC－VBAT)
VSLPR
VCC rising,
VBAT=18V
0.38
0.47
0.58
V
DRV 管脚
VDRV 高电平
(VCC－VDRV)
VH
IDRV＝－10mA
60
mV
VDRV 低电平
(VCC－VDRV)
VL
IDRV＝0mA
5.8
V
上升时间
tr
Cload＝2nF, 10% to 90%
30
40
65
ns
下降时间
tf
Cload＝2nF, 90% to 10%
30
40
65
ns
HM4062
Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd
http：//www.hmsemi.com



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