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HM5066 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM5066
Description  4.2V lithium battery charging management chip
PDF  14 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5066 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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background image
4
电特性
表1
电特性能参数
凡注●表示该指标适合 8.4V、4.2V模式，否则仅指 8.4V，T
R
A
R
=25℃，VIN=12V，除特别注明。
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值
单位
VIN
输入电源电压
●
4.5
12
18
V
I
R
CC
输入电源电流
无电池模式，
R
R
SR=0.1Ω
待机模式（充电终止）
停机模式（
CS=GND，
V
R
inR<VRBATR，或VRinR<VRUVR）
●
●
●
150
120
120
120
180
140
140
140
μ
A
μ
A
μ
A
V
R
FLOAL
充电截止电压
4.2V 锂离子电池
4.158
4.2
4.242
V
8.4V 锂离子电池
8.316
8.4
8.484
V
I
R
BAT
BAT 引脚电流:
(电流模式测试条件是
CS=VREG、电池=7.5V)
R
R
S=0.1Ω ，恒流模式
R
R
SR=0.067Ω ，恒流模式
待机模式，
V
R
BATR=8.4V
VIN=0V ， V
R
BATR=8.4V
●
●
●
●
950
1450
0
0
1000
1500
－
1
－
1
1100
1600
－
1
－
1
mA
mA
uA
uA
I
R
TRIKL
涓流预充电电流
RTRICK 引脚接地
1.2V<V
R
BATR < VRTRIKLR ，
R
R
SR=0.067
●
●
80
100
120
mA
F
振荡频率
●
350
400
500
KHz
DMAX
最大占空比
●
100%
DMIN
最小占空比
●
0%
V
R
TRIKL
涓流充电门限电压（
8.4V）
涓流充电门限电压（
4.2V）
R
R
S=0.067Ω ，VRBATR上升
5.6
2.8
5.8
2.9
6.0
3.0
V
V
R
TRHYS
涓流充电迟滞电压
R
R
S=0.067Ω
60
80
100
mV
V
R
UV
V
R
INR欠压闭锁门限
从
V
R
INR低至高
●
3.5
3.6
3.8
V
V
R
UVHYS
V
R
INR欠压闭锁迟滞
●
150
200
300
mV
V
R
ASD
V
R
INR-VRBATR闭锁门限电压
V
R
INR从低到高
V
R
INR从高到低
60
5
100
30
140
50
mV
mV
Vreg
内部电源
●
3.6
3.8
4.0
V
I
R
TERM
C/10 终止电流门限
R
R
S=0.067Ω
●
80
100
120
mA
CHRG
V
引脚输出低电压
CHRG
I
=5mA
●
0.3
0.6
V
STDBY
V
引脚输出低电平
STDBY
I
=5mA
●
0.3
0.6
V
V
R
TEMP-H
TEMP 引脚高端关机电压
●
>80
82
%*VREG
V
R
TEMP-L
TEMP 引脚低端关机电压
●
43
<45
%*VREG
Δ
V
R
RECHRG
再充电电池门限电压
V
R
FLOATR-VRRECHRG
●
80
150
200
mV
T
R
LIM
芯片保护温度
110
℃
R
R
ON
功率
FET“导通”电阻
170
mΩ
t
R
ss
软启动时间
I
R
BATR=0 至IRBATR=0.1V/Rs
20
u
S
t
R
RECHARGE
再充电比较器滤波时间
V
R
BATR高至低
0.8
1.8
4
mS
t
R
TERM
终止比较器滤波时间
I
R
BATR降至CR/10 以下
0.8
1.8
4
mS



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