HM5421 datasheet(3/7 Pages) HMSEMI

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七、

绝对最大额定值

（

VSS=0V，Ta=25°C ，除非特别说明）

项目

符号

规格

单位

VDD 和 VSS 之间输入电压

VDD

VSS-0.3~VSS+10

OC 输出端子电压

VOC

VDD-33~VDD+0.3

OD 输出端子电压

VOD

VSS-0.3~VDD+0.3

CS 输入端子电压

VCS

VDD-33~VDD+0.3

工作温度范围

TOP

-40~+85

℃

储存温度范围

TST

-40~+125

℃

容许功耗

250

八、

电气特性

（

VSS=0V，Ta=25°C ，除非特别说明）

项目

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单

位

输入电压

VDD-VSS工作电压

VDSOP1

—

1.5

—

VDD-CS工作电压

VDSOP2

—

1.5

—

耗电流

工作电流

IDD

VDD=7.8V

—

5.0

9.0

休眠电流

IPD

VDD=4.0V

—

0.1

检测电压

过充电检测电压

n（*1）

VCUn

4.1～4.5V，可调整

VCUn

-0.025

VCUn

+0.025

过充电释放电压

n（*1）

VCRn

3.9～4.3V，可调整

VCRn -0.05

VCRn

VCRn +0.05

过放电检测电压

n（*1）

VDLn

2.0～3.0V，可调整

VDLn -0.08

VDLn

VDLn +0.08

过放电释放电压

n（*1）

VDRn

2.3～3.4V，可调整

VDRn -0.10

VDRn

VDRn +0.10

放电过流检测电压

VDIP

VDIP -30

VDIP

VDIP +30

负载短路检测电压

VSIP

VDD-VSS=7.0V

0.6

1.0

1.4

充电过流检测电压

VCIP

VCIP -30

VCIP

VCIP +30

延迟时间

过充电检测延迟时间

TOC

700

1000

1300

过放电检测延迟时间

TOD

110

150

放电过流检测延迟时间

TDIP

充电过流检测延迟时间

TCIP

负载短路检测延迟时间

TSIP

150

250

400

μs

控制端子输出电压

OD端子输出高电压

VDH

VDD-0.1

VDD-0.02

HM5421B/C

双节锂电池保护

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

HM5421 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5421 Datasheet(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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