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HM7152 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM7152 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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4 / 8 page ![]() 单通道高压线性恒流控制器 极限参数 (1)(2) 符号 描述 范围 单位 SD 内部MOSFET漏极 -0.3~500 V ID 内部MOSFET电流(Tj=100 °C) 80 mA --- 模拟输入/输出引脚 -0.3~6 V Ivcc VCC 钳位电流 1 mA PLOSS 最大功率损耗(Ta=50 °C) 1.25 W θJA 热阻(结温-环境) 40 ℃ /W Tj 最大工作结温 -40~150 ℃ Tstg 存储温度范围 -65~150 ℃ ESD 静电(人体模式) 2 kV 说明: (1)极限值是指超出该工作范围,芯片可能损坏。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件 下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值反映了器件性能。 (2)无特别说明,所有的电压以GND作为参考。 电气参数 (无特别说明外,VCC=14V, Ta=25 oC) 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源供电部分 VCC VCC 钳位电压 IVCC<1mA 13.5 14 14.5 V VCCON 芯片开启工作电压 VCC 上升 9.5 10 10.5 V VCCOFF 芯片关断电压 VCC 下降 7.5 8 8.5 V IST 启动电流 VCC<VCCON 50 uA IOP 工作电流 30 55 80 uA 电流采样 VREF 平均电流基准 485 500 515 mV VCS_MAX CS过流保护基准 0.7 1.0 1.3 V 过温保护 TSD 过热关断温度 150 ℃ TSC 电流负温补偿启始点 110 ℃ Hy_TD 过热保护迟滞 35 ℃ HM7152 |
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