ESD3B5V0WS ... ESD3B36WS

Characteristics (Tj = 25°C)

Kennwerte (Tj = 25°C)

Type

Typ

Code

Junction capacitance

Sperrschichtkapazität

VR = 0 V, f = 1 MHz

Stand-off

voltage

Sperrspannung

Max. rev. current

Max. Sperrstrom

at / bei VWM

Breakdown voltage

Abbruch-Spannung

at / bei IT = 1 mA

Max. clamping voltage

Max. Begrenzer-Spannung

at / bei IPPM (8/20 µs)

Cj [pF]

VWM [V]

ID [µA]

VBRmin [V]

VC [V]

IPPM [A]

ESD3B5V0WS

5B0

< 200

5.0

10

6.0

9.8

14.5

5

24

ESD3B12WS

12B

< 100

12

1

13.3

19

24

5

15

ESD3B15WS

15B

< 75

15

1

16.7

24

29

5

12

ESD3B24WS/-Q

24B

< 50

24

1

26.7

36

42

1

5

ESD3B36WS/-AQ

typ. 15

36

1

38.5

90

4

Dimensions - Maße [mm]

1

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

120

100

80

60

40

20

0

[%]

P

PP

[°C]

T

A

150

100

50

0

I

PP

Peak pulse power/current vs. ambient temperature )

Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )

1

1

10

1

0.1

0.01

[kW]

P

PP

0.1µs

t

1µs

10µs

100µs

1ms

10ms

P

Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)

Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)

8/20µs - pulse waveform

8/20µs - Impulsform

I

PP

P

PP

100

80

60

40

20

0

0

t

20

40

60

[µs]

[%]

t

P

I /2

PPM

P /2

PPM

t = 8 µs

r