LM258DR datasheet(2/5 Pages) UMW

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电特性（若无其它规定，V+=5.0V）

规范值

特性

测试条件

最小典型

最大

单

位

输入失调电压

Ta=25℃

输入偏流

Ta=25℃，IIN(+)或 IIN（-），VCM=0V

150

输入失调电流

Ta=25℃，IIN(+) - IIN（-），VCM=0V

输入共模电压范围

Ta=25℃，V+=30V

V+-1.5

V+=30V

电源电流

在整个温度范围上，

RL=

∞在所有

运算放大器上，

V+=5V

0.5

1.2

大信号电压增益

V+=15V，Ta=25℃，RL

≥2kΩ（对于 Vo=1~11V）

100

V/mV

共模抑制比

DC，Ta=25℃，VCM=0~V+-1.5V

电源抑制比

DC，Ta=25℃，V+=5~30V

100

放大器之间的耦合系

数

Ta=25℃，f=1~20kHz（所有的输入）

-120

输出源电流

VIN(+)=1V,VIN(-)=0V,V+=15V,Vo=2V,Ta=25℃

VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,V+=15V,Vo=2V,Ta=25℃

输出吸电流

VIN(-)=1V,VIN(+)=0V,V+=15V,Vo=200mV,Ta=25℃

µA

对地短路电流

V+=15V， Ta=25℃

输入失调电压

输入失调电压漂移

Rs=0

Ω

µV/℃

输入失调电流

IIN(+) - IIN（-）

100

输入失调电流漂移

Rs=0

Ω

pA/℃

输入偏置电流

IIN(+)或 IIN（-）

300

输入共模电压范围

V+=30V

V+-2

大信号电压增益

V+=15V，（Vo=1~11V）， RL

≥2kΩ

V/mV

RL=2k

Ω

VOH

V+=30V

RL=10k

Ω

输出电压

摆幅

VOL

V+=5V，RL=10k

Ω

源电流

VIN(+)=1V，VIN(-)=0V，V+=15V，Vo=2V

输出电流

吸电流

VIN(-)=1V，VIN(+)=0V，V+=15V，Vo=2V

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

UMW LM258

UMW

LM258DR Datasheet(PDF) 2 Page - Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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