JT05N065RAD-R-BR datasheet(3/10 Pages) JSMC

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JT05N065RAD/VAD/SAD

版本：202310B

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

Parameter

符

号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

关态特性 Off

–Characteristics

集电极－发射极击穿电压

Collector-Emitter Voltage

BVCES

IC=250μA, VGE=0V

650

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVCES/ΔTJ IC=1mA, referenced to 25℃

0.5

℃

零栅压下集电极漏电流

Zero Gate Voltage Collector

Current

ICES

VCE=650V,

VGE=0V,

TC=25℃

μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

IGESF

VCE=0V,

VGE =20V

200

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGESR

VCE=0V,

VGE =-20V

-200 nA

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGE(th)

VCE = VGE ,

IC=250μA

4.5

6.5

饱和压降

Collector-Emitter saturation

Voltage

VCESAT

VGE=15V

IC=5A

Tj=25℃

1.7

2.05

动态特性 Dynamic Characteristics

输入电容

Input capacitance

Cies

VCE=25V,

VGE=0V,

f=1.0MHZ,

Tj=25℃

289

输出电容

Output capacitance

Coes

32.7

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Cres

7.4

栅极电荷总量-Total Gate Charge Qg

VCC=400V,Ic=5A,RG=10

Ω

VGE=15 V

Tj=25℃

11.8

栅极-发射极电荷

Gate to Emitter charge

Qge

2.57

栅极-集电极电荷

Gate to collector charge

Qgc

5.1

栅极电阻

Gate resistance

f=1 MHz, open collector

1.6

短路电流-

Short current

Isc

VGE=15V VCE=400V

TJstart≤150℃ tsc≤10µs

JT05N065RAD-R-BR Datasheet(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JT05N065RAD-R-BR Datasheet(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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