BAL99

BAL99

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2006-04-07

Dimensions - Maße [mm]

1 = n.c. /frei

2 = C

3 = A

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

70 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

BAL99

Power dissipation – Verlustleistung

Max. average forward current (dc)

Dauergrenzstrom

250 mA 1)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

0.5 A

1 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

70 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Forward voltage

Durchlass-Spannung

< 715 mV

< 855 mV

< 1000 mV

< 1250 mV

Sperrstrom

< 2.5 µA

< 30 µA

< 100 µA

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

1.5 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

< 6 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

400 K/W 1)

1

2

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.9

Type

Code

3

2

1

0.4

1.1