BC856W ... BC859W

BC856W ... BC859W

PNP

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2006-06-27

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-323

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

BC856W BC857W BC858W

BC859W

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open

65 V

45 V

30 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

Group A

Group B

Group C

–

–

–

140

250

480

–

–

–

Group A

Group B

Group C

125

220

420

180

290

520

250

475

800

–

–

75 mV

250 mV

300 mV

650 mV

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.3

0.3

Type

Code

3

2

1