MMBT2222 / MMBT2222A

MMBT2222 / MMBT2222A

NPN

Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-05-15

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBT2222

MMBT2222A

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

30 V

40 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

60 V

75 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

5 V

6 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

35

50

75

100

–

–

–

–

–

–

–

300

MMBT2222

MMBT2222A

30

40

–

–

–

–

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

MMBT2222

MMBT2222A

50

75

–

–

300

375

Input impedance – Eingangs-Impedanz

MMBT2222

MMBT2222A

2 kΩ

0.25 kΩ

–

–

8 kΩ

1.25 kΩ

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

MMBT2222

MMBT2222A

5 µS

25 µS

–

–

35 µS

200 µS

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9