MMBT5550 / MMBT5551

MMBT5550 / MMBT5551

NPN

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-05-09

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBT5550

MMBT5551

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

140 V

160 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

160 V

180 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

6 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

MMBT5550

MMBT5551

60

80

–

–

–

–

MMBT5550

MMBT5551

60

80

–

–

250

250

MMBT5550

MMBT5551

20

30

–

–

–

–

MMBT5550

MMBT5551

–

–

–

–

0.15 V

0.15 V

MMBT5550

MMBT5551

–

–

–

–

0.25 V

0.20 V

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9