MMBTA42 / MMBTA43

MMBTA42 / MMBTA43

NPN

Surface mount High Voltage Transistors

Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2005-06-21

Dimensions / Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation

Verlustleistung

250 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBTA42

MMBTA43

Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung

B open

300 V

200 V

Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung

E open

300 V

200 V

Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung

C open

6 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

500 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-65...+150°C

-65…+150°C

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

MMBTA42

MMBTA43

–

–

–

–

100 nA

100 nA

Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom

MMBTA42

MMBTA43

–

–

–

–

100 nA

100 nA

–

–

500 mV

–

–

900 mV

1

2

Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9