MMBTA55 ... MMBTA56

MMBTA55 ... MMBTA56

PNP

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2006-08-09

Dimensions - Maße [mm]

1 = B

2 = E

3 = C

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBTA55

MMBTA56

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

60 V

80 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

60 V

80 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

4 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

500 mA

Base current – Basisstrom

100 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

100

100

–

–

–

–

––

0.25 V

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

–

–

1.2 V

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9