MPSA55 ... MPSA56

MPSA55 ... MPSA56

PNP

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2006-07-25

Dimensions - Maße [mm]

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

MPSA55

MPSA56

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

60 V

80 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

60 V

80 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

4 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

500 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

1 A

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

100

100

–

–

–

–

––

0.25 V

–

–

1.2 V

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

MPSA55

MPSA56

–

–

–

–

100 nA

100 nA

1

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

2 x 2.54

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