DAN222AM

Switching Diode (High speed switching)

Data sheet

　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　 　 　 　 ●Outline

VRM

80

V

　

　

IFM

300

mA

　

　

Io

100

mA

　

　

IFSM

4000

mA

　

　

　

　

　

　

　

　 　 　

●Features

●Inner Circuit

High reliability

Small mold type

High Speed switching

●Application

●Packaging Specifications

High speed switching

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

8

●Structure

Basic Ordering Unit(pcs)

3000

Epitaxial planar

Taping Code

TL

Marking

1N

●Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

Reverse voltage

VR

-

80

V

Repetitive peak reverse voltage

VRM

-

80

V

Average rectified forward current

Io

-

100

mA

Forward current

IFM

-

300

mA

Peak forward surge current

IFSM

t=1μs

4000

mA

Power dissipation

　 　 　

PD

-

150

mW

Junction temperature

Tj

-

150

℃

Storage temperature

Tstg

-

-55 ～ 150

℃

●Characteristics (Ta=25℃, Per diode)

　　

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ. Max.

Unit

Forward voltage

VF

IF=100mA

-

-

1.2

V

Reverse current

IR

VR=70V

-

-

0.1

μA

Capacitance between terminals

Ct

VR=6.0V , f=1MHz

-

-

3.5

pF

Reverse recovery time

trr

VR=6.0V , IF=5.0mA , RL=50Ω

-

-

4.0

ns

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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2025/06/03_Rev.001

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