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汕头华汕电子器件有限公司
HFP830
对应国外型号
IRF830
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
█ 主要用途
█ 外形图及引脚排列
1―栅 极 G
2―漏 极 D
3―源 极 S
TO-220
高压高速电源开关。
█ 极限值（T
a=25℃）
T stg —— 贮存温度 ………… ………… ………… … - 55 ~150 ℃
T j — —结温 … ……… … ……… … ……… … ……… - 55~150 ℃
V DSS ——漏极—源极电压………………………………… 50 0 V
VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=1MΩ) …………………………… 500V
V GS —— 栅 极—源 极 电压… … ……… … ……… … ……… ± 20 V
I D —— 漏极 电流（ T c =25 ℃）… ……… …… ……… …… …… 4.5 A
P D ——耗 散功 率 （ T c =25 ℃） ……………………………… 75 W
█ 电参数（T
a=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 位
测
试
条
件
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS （ th ）
ID（on）
RDS（on）
gfs
Ciss
Coss
Crss
Td（on）
Tr
Td（off）
Tf
Qg
Qgs
Qgd
IS
VSD
漏—源极击穿电压
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
栅—源极开启电压
导通状态漏极电流
漏—源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
断开延迟时间
下降时间
栅极总电荷
栅极—源极电荷
栅极—漏极电荷
源极—漏极二极管正向电流
源极—漏极二极管导通电压
500
2.0
4.5
2.5
22
12
10
25
±100
4.0
1.5
800
200
60
30
30
55
30
30
4.5
1.6
V
µA
nA
V
A
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
ID=250µA，VGS=0
VDS=500V，VGS=0
VGS=±20V，VDS=0
VDS=VGS，ID=250µA
VDS≥6.75V，VGS=10V
VGS=10V，ID=2.5A
VDS=10V，ID=2.5A
VDS=25V，VGS=0，f=1MHz
VDD=200V，ID=2.5A（峰
值）
，RG=15Ω
VDS=0.8VDSS,
VGS=10V，
ID=4.5A
IS=4.5A，VGS=0
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