Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 508 N 12 ...18

N

Elektrische Eigenschften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

circuit commutatet turn-off time

4. Kennbuchstabe / 4th letter O

typ.

250

µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

thermal resitance, junction to case

beidseitig / two-sided, ? =180°sin

max.

0,0530

°C/W

beidseitig / two-sided, DC

max.

0,0500

°C/W

Anode / anode, ? =180°sin

max.

0,0880

°C/W

Anode / anode, DC

max.

0,0850

°C/W

Kathode / cathode, ? =180°sin

max.

0,1230

°C/W

Kathode / cathode, DC

max.

0,1200

°C/W

Übergangs- Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

thermal resitance, case to heatsink

beidseitig / two-sided

max.

0,0075

°C/W

einseitig / single-sided

max.

0,0150

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

125

°C

max. junction temperature

Betriebstemperatur

-40...125

°C

operating temperature

Lagertemperatur

-40...140

°C

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

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case, see appendix

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

F

5 ...10

kN

clamping force

Gewicht

G

typ.

100

g

weight

Kriechstrecke

17

mm

creepage distance

Feuchteklasse

DIN 40040

C

humidity classification

Schwingfestigkeit

f = 50Hz

50

m/s²

vibration resistance

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but

promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther

A

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