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S

Schnelle Diode

Fast Diode

Datenblatt / Data sheet

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann

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D650S

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche /cooling surface

beidseitig / two sided, Θ = 180° sin

beidseitig / two sided, DC

Anode / anode, Θ = 180° sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, Θ = 180° sin

Kathode / cathode, DC

max.

max.

max.

max.

max.

max.

0,048

0,045

0,085

0,082

0,103

0,100

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

max.

max.

0,005

0,010

°C/W

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

150 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

-40...+150

Lagertemperatur

storage temperature

-40...+150

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F

6…14,5

kN

Gewicht

weight

G

typ.

270

g

Kriechstrecke

creepage distance

25 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

50 m/s²