T930N datasheet(2/10 Pages) INFINEON

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Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

Datenblatt / Data sheet

T930N

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann

A 05/09

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Seite/page

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

circuit commutated turn-off time

Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM

vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM

dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs

4.Kennbuchstabe / 4

th letter O

typ.

500 µs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

0,0215

0,0195

0,0406

0,0384

0,0424

0,0400

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sides

einseitig / single-sides

RthCH

max.

0,0035

0,0070

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max

125 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

Tc op

-40...+125 °C

Lagertemperatur

storage temperature

Tstg

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft

clamping force

20...45 kN

Steueranschlüsse

control terminals

Gate (flat)

Gate (round, based on AMP 60598)

Kathode / cathode

A 2,8x0,5

Ø 1,5

A 4,8x0,5

Gewicht

weight

typ.

540 g

Kriechstrecke

creepage distance

20 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

50 m/s²

T930N Datasheet(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG

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