2N4401

2N4401

NPN

General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

NPN

Version 2006-09-12

Dimensions - Maße [mm]

Power dissipation

Verlustleistung

625 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

TO-92

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

2N4401

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

B open

40 V

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

E open

60 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

C open

6 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Min.

Typ.

Max.

20

40

80

100

40

–

–

–

–

–

–

–

–

300

–

–

–

–

–

0.40 V

0.75 V

0.75 V

–

–

–

0.95 V

1.2 V

1

2

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

2 x 2.54

C BE