LD274 datasheet(2/4 Pages) SIEMENS

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LD 274

Semiconductor Group

1997-11-01

Grenzwerte (

A = 25 °C)

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

op; Tstg

– 55 ... + 100

°C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

100

°C

Sperrspannung

Reverse voltage

Durchlaßstrom

Forward current

100

Stoßstrom,

p = 10 µs, D = 0

Surge current

FSM

Verlustleistung

Power dissipation

tot

165

Wärmewiderstand

Thermal resistance

thJA

450

K/W

Kennwerte (

A = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

F = 100 mA, tp = 20 ms

peak

950

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

max

Spectral bandwidth at 50 % of

max

F = 100 m A, tp = 20 ms

∆λ

Abstrahlwinkel

Half angle

ϕ± 10

Grad

Aktive Chipfläche

Active chip area

0.09

mm2

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimension of the active chip area

× B

× W

0.3

× 0.3

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

4.9 ... 5.5

Schaltzeiten, I

e von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei

F = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, I

e from 10 % to 90 % and

from 90 % to 10 %,

F = 100 mA, RL = 50 Ω

r, tf

µs

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