2SB1122 / 2SD1622

No.2040-2/5

Continued from preceding page.

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

DC Current Gain

hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)100mA

100*

560*

hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1A

30

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

150

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(12)8.5

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)500mA, IB=(--)50mA

(--180)120 (--500)300

mV

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)500mA, IB=(--)50mA

(--)0.9

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10μA, IE=0A

(--)60

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)50

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10μA, IC=0A

(--)5

V

Turn-ON Time

ton

See specified Test Circuit.

(40)40

ns

Storage Time

tstg

See specified Test Circuit.

(300)350

ns

Fall Time

tf

See specified Test Circuit.

(30)30

ns

*: The 2SB1122 / 2SD1622 are classified by 100mA hFE as follows:

Rank

R

S

T

U

hFE

100 to 200

140 to 280

200 to 400

280 to 560

Package Dimensions

Switching Time Test Circuit

unit : mm (typ)

7007B-004

VR

RB

25V

--5V

+

+

50Ω

INPUT

OUTPUT

RL

50Ω

100μF

470μF

PW=20μs

IC=10IB1= --10IB2=500mA

(For PNP, the polarity is reversed)

IB1

D.C.≤1%

IB2