Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

420

01.10.2002

DB 3, DB 4

Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)

Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)

Breakover voltage

28 ... 45 V

Durchbruchsspannung

Peak pulse current

± 2 A

Max. Triggerimpuls

Glass case

DO-35

Glasgehäuse

SOD-27

Weight approx.

0.13 g

Gewicht ca.

Dimensions / Maße in mm

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Maximum ratings

Grenzwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T

Peak pulse current (120 pulse repetition rate)

t

Max. Triggerstrom (120 Impulse)

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

– 40…+100

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

– 40…+150

Characteristics

Kennwerte

Breakover voltage

V

BO

28 ... 36 V

Durchbruchspannung

DB 4

V

BO

35 ... 45 V

Breakover current – Durchbruchstrom

V = 98 % V

BO

I

BO

Asymmetry of breakover voltage

< 3.8 V

Unsymmetrie der Durchbruchspannug

Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung

> 5 V

Thermal resistance junction to ambient air

R

thA

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft