Montage auf Leiterplatte mit 3 mm

24

1.1

2.9

±0.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9

MMBT2907, MMBT2907A

Switching Transistors

PNP

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-05-04

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Dimensions / Maße in mm

1 = B

2 = E

3 = C

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

MMBT2907

MMBT2907A

Collector-Emitter-voltage

B open

- V

CE0

40 V

60 V

Collector-Base-voltage

E open

- V

CB0

60 V

Emitter-Base-voltage

C open

- V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

250 mW

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I

C

600 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

- I

CM

800 mA

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

T

j

150°C

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 65…+ 150°C

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom

I

MMBT2709

MMBT2709A

- I

CB0

- I

CB0

–

–

–

–

20 nA

10 nA

I

- I

CB0

–

–

20 µA

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg.

- I

- I

- V

CEsat

- V

CEsat

–

–

–

–

400 mV

1.6 V

Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

- I

- I

- V

BEsat

- V

BEsat

–

–

–

–

1.3 V

2.6 V