Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

3

01.11.2003

General Purpose Transistors

BC 327 / BC 328

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

- V

BC 327

- I

CES

–

2 nA

100 nA

- V

BC 328

- I

CES

–

2 nA

100 nA

- V

BC 327

- I

CES

–

–

10

- V

BC 328

- I

CES

–

–

10

Collector-Emitter breakdown voltage

Collector-Emitter Durchbruchspannung

- I

BC 327

- V

(BR)CES

20 V

–

–

BC 328

- V

(BR)CES

45 V

–

–

- I

BC 327

- V

(BR)CES

30 V

–

–

BC 328

- V

(BR)CES

50 V

–

–

Emitter-Base breakdown voltage

Emitter-Basis-Durchbruchspannung

- I

- V

(BR)EB0

5 V

–

–

Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung

- I

- V

CEsat

–

–

0.7 V

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

- V

- V

BE

–

–

1.2 V

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

- V

f

T

–

100 MHz

–

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

- V

C

CB0

–

12 pF

–

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R

thA

Recommended complementary NPN transistors

Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren

BC 337 / BC 338

Available current gain groups per type

Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ

BC 327-16

BC 328-16

BC 327-25

BC 328-25

BC327-40

BC328-40