Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

4

01.11.2003

BC 337 / BC 338

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Power dissipation – Verlustleistung

625 mW

Plastic case

TO-92

Kunststoffgehäuse

(10D3)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard Pinning

1 = C 2 = B 3 = E

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

BC 337

BC 338

Collector-Emitter-voltage

B open

V

CE0

45 V

25 V

Collector-Base-voltage

E open

V

CB0

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

V

EB0

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

Collector current – Kollektorstrom (DC)

I

C

800 mA

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

T

j

150

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 55…+ 150

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V

Group -16

h

FE

100

160

250

Group -25

h

FE

160

250

400

Group -40

h

FE

250

400

630

Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom

V

BC 337

I

CES

–

–

200 nA

V

BC 338

I

CES

–

–

200 nA

V

BC 337

I

CES

–

–

10

V

BC 338

I

CES

–

–

10